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2019-09-19 15:00来源:经济日报
导读:高启全表示紫光集团决定自主研发DRAM,将在未来十年内投资8000亿元人民币,以加快DRAM量产。

据经济日报报道, 紫光集团DRAM 事业群CEO高启全日前返回中国台湾过中秋节时在采访中表示,紫光集团决定自主研发DRAM,且大基金和重庆产业基金都会投资,初期研发中心将设在武汉,等到研发有了成果才会在重庆设厂生产。

他强调,人才是最大的挑战。他透露公司正建立研发团队,希望五到十年能看到研发成果。但高启全不愿透露更多细节,包括新公司何时成立、研发阵容以及投资金额等。

同时,高启全表示,紫光集团未来投入DRAM领域,也会走先前开发储存型闪存(NAND Flash)的自主研发模式。只是投入DRAM领域,目前相关制程专利都掌控在三星、SK海力士和美光三大厂手中,紫光集团若要技术自主,就要投入更多的人力和时间。

对此,他也说,目前韩国和美国都不愿将技术授权给中国大陆厂商,而且中美贸易战还在浪头上,美光也不会和紫光结盟,因此中国要规避三大厂的专利,不是短时间可以达成的,得靠汇集更多优秀人才,希望五到十年能看到成果。

十年内投资8000亿,紫光集团冲刺DRAM自主研发

此前在8月底,紫光集团就宣布跟重庆市政府签署投资协议,在重庆建设DRAM事业群总部及内存芯片工厂,预计今年底动工,并规划2021年正式量产内存。

话句话说,尽管存储器是我国集成电路产业的“短板”,但现在国家正坚持大力推进这一重点领域。

对于紫光集团积极冲刺DRAM自主研发,也有消息人士透露,紫光集团内部已计划将在未来十年内投资8000亿元人民币,以加快DRAM量产。

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关键词 :
DRAM 紫光
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